国家发改委公布的《半导体照明节能产业发展意见》，提出中国半导体照明节能产业的发展目标：2015年，半导体照明节能产业产值年均增长率在30%左右;产品市场占有率逐年提高，功能性照明达到20%左右，液晶背光源达到50%以上，景观装饰等产品市场占有率达到70%以上。《意见》指出，至2015年，企业自主创新能力明显增强，大型MOCVD装备、关键原材料以及70%以上的芯片实现国产化，上游芯片规模化生产企业3-5家;产业集中度显著提高，拥有自主品牌、较大市场影响力的骨干龙头企业10家左右;初步建立半导体照明标准体系;实现年节电400亿千瓦时，相当于年减排二氧化碳4000万吨。

　　相关数据显示，2014年，我国半导体照明产业整体规模达到3507亿元，较2013年增长36%。有专家称，2015年我国LED照明市场将保持良好发展势头，2015年行业整体增长率有望超过35%。随着LED光源越来越广泛应用以及智能化技术的拓展，大量稀有金属化合物制成的发光半导体材料也将迎来更大的发展机遇。

　　这将会带动镓和铟等稀有半导体金属需求的快速增长。稀有金属镓、铟等半导体材料作为LED照明芯片的原材料，有望借LED智能照明的“东风”实现其价值增长。目前，LED光源的核心材料主要是稀有金属镓(Ga)、铟(In)与砷(AS)、磷(P)的化合物，并且基于宽禁带半导体材料氮化镓(GaN)和铟氮化稼(InGaN)的也是最具有商业应用价值的LED发光材料。

　　GaN即氮化镓，属第三代半导体材料，六角纤锌矿结构。GaN 具有禁带宽度大、热导率高、耐高温、抗辐射、耐酸碱、高强度和高硬度等特性,是现在世界上人们最感兴趣的半导体材料之一。GaN基材料在高亮度蓝、绿、紫和白光二极管,蓝、紫色激光器以及抗辐射、高温大功率微波器件等领域有着广泛的应用潜力和良好的市场前景。

　　2013年，我国芯片产量增幅高达61%，其中GaN芯片的产量占比达65%，而以铟氮化稼(InGaAlP)芯片为主的四元系芯片的产量占比为25%，GaAs等其他芯片占比为10%左右。如果2014年LED照明市场的增长率高达80%，那么半导体芯片的产量也会继续保持高速增长。2015年的产量将会保持更强劲的增长势头。

　　全球LED智能照明的快速发展，将会带动镓和铟等半导体金属需求的增长。泛亚有色金属交易所利用电子商务的模式开启了稀有金属现货交易模式，有利于实现平台定价，并且通过商业手段实现了商业收储。